Ti/Pd/Ag Contacts to n-Type GaAs for High Current Density Devices

Detalles Bibliográficos
Autores:	Huo, Pengyun, Rey-Stolle Prado, Ignacio\|\|\|0000-0002-4919-5609
Tipo de recurso:	artículo
Fecha de publicación:	2016
País:	España
Institución:	Universidad Politécnica de Madrid
Repositorio:	Archivo Digital UPM
OAI Identifier:	oai:oa.upm.es:40235
Acceso en línea:	https://oa.upm.es/40235/
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	Ohmic contact n-GaAs high conductivity

Descripción
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